Главная > Разное > Теория поглощения и испускания света в полупроводниках
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

Рассеяние генерируемого излучения в активной среде.

После преодоления порога в резонаторе наряду с генерируемым монохроматическим излучением появляется рассеянная радиация на частоте генерации. Расчет, аналогичный выводу (23.10), дает для средней скорости рекомбинации, индуцированной рассеянным излучением,

где средний коэффициент рассеяния генерируемого излучения.

С учетом (23.16) функцию в (20.7) можно представить в виде [419, 385]

Здесь равно относительной части тока сверх порога, которая расходуется на увеличение скоростей спонтанной и неоптической рекомбинации,

— параметр, изменяющийся от до

Подставляя (23.17) в (20.7), находим

Если , то а мощность генерации стремится к нулю.

Вводя параметр

показывающий, какая часть тока, превышающего порог, расходуется на рассеянное излучение, вместо (23.19) получим

На основании (23.21) внутренний квантовый выход генерации можно выразить формулой

Рассеяние генерируемого излучения наблюдалось на опыте [686] и служит еще одной причиной снижения величины На основании измерения интенсивности рассеянного излучения, выходящего из различных точек боковой поверхности диода, авторы установили, что в резонаторе Фабри-Перо с малыми значениями коэффициентов отражения зеркал плотность потока генерируемого излучения в центре диода меньше, чем около зеркал. Это согласуется с результатами теоретических расчетов для твердотельных лазеров [684].

Через параметр внутренний квантовый выход генерации (23.22) также зависит от геометрии лазера [685]. Еще раз доказан сделанный ранее (§ 21) вывод о том, что значение характеризует лазерный диод в целом и не имеет прямого отношения к квантовому выходу люминесценции.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление