Главная > Разное > Теория поглощения и испускания света в полупроводниках
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

Произведение n0p0.

В случае собственного невырожденного полупроводника, согласно (3.9) и имеем

откуда следует:

Введение примеси в кристалл приводит к резкому смещению уровня Ферми. Однако если лежит по крайней мере на ниже дна зоны проводимости, но выше потолка валентной зоны, то полупроводник можно считать невырожденным и пользоваться формулами (3.9) и (3.10). Это означает, что в невырожденном полупроводнике, находящемся в состоянии термодинамического равновесия, всегда справедливо равенство:

Как видно из (3.27), путем введения примеси нельзя одновременно повысить концентрацию электронов и дырок: увеличение неизбежно приводит к уменьшению и наоборот.

Поскольку формулы (3.17) и (3.19) справедливы как для собственного, так и для примесного полупроводника и отличаются только значением то имеют место равенства:

где ; и значение для собственного и примесного полупроводника,

При отсутствии вырождения интегралы Ферми — Дирака можно заменить экспонентами, а из (3.28) следует

Формулы (3.29) широко используются для практических целей. Поскольку вырождение по электронам и дыркам одновременно почти никогда не наступает, одна из этих формул остается справедливой, даже если уровень Ферми заходит в зону проводимости или в валентную зону.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление