Главная > Разное > Теория поглощения и испускания света в полупроводниках
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

Начальный этап изменения спектров поглощения и люминесценции.

Аналитические решения уравнения электронейтральности и уравнения баланса, полученные в предыдущем параграфе для собственных полупроводников, позволяют проследить не только за уменьшением поглощения на частоте возбуждающего света, но и рассмотреть начальный этап изменения всего спектра собственного поглощения. Подставляя (14.38) и (14.39) в (14.5), с учетом (14.27) находим

где мощность поглощения внешнего возбуждающего света; от накачки не зависит (см. (14.42)).

Так как формула (14.38) справедлива не только для но и для произвольной частоты то, преобразовывая ее совместно с (15.1), получим [434]

Здесь введено обозначение

где задано формулой (14.44). Второе равенство в (15.3) записано на основании того, что

Переход от в (15.3) означает пренебрежение поправками второго порядка малости.

Так как на краю полосы фундаментального поглощения значение быстро возрастает, то параметр будет резко уменьшаться с увеличением Следовательно, внешнее возбуждение приводит не просто к смещению, а к деформации длинноволнового края полосы поглощения, причем

Мощность люминесценции в этом приближении, согласно (14.37), равна

где

— предельное значение мощности люминесценции, которое реализуется при условии, что все состояния зоны проводимости заняты, а состояния валентной зоны свободны. Как видно из (15.5), при отсутствии вырождения с увеличением накачки интенсивность рекомбинационного излучения растет одинаково во всех частотах, причем

На основании (7.36), (15.5) и (15.7) легко установить, что квантовый выход люминесценции в этом случае не зависит от интенсивности возбуждения и равен где усреднение проведено по спектру люминесценции.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление